Uclk div1 mode что это
Анализ BIOS AMD Ryzen 3000 «Zen 2» открывает новые возможности для разгона и настройки. AMD выпустит свои настольные процессоры 3-го поколения Ryzen 3000 Socket AM4 в 2019 году, а обнародование продукта ожидается в середине года, вероятно, на полях Computex 2019. AMD обещает сделать эти чипы обратно совместимыми с существующими материнскими платами Socket AM4. С этой целью производители материнских плат, такие как ASUS и MSI, начали развертывать обновления BIOS с микрокодом AGESA-Combo 0.0.7.x, который добавляет начальную поддержку платформы для запуска и проверки технических образцов будущих чипов «Zen 2».
На выставке CES 2019 AMD представила больше технических деталей и прототип процессора Ryzen Socket AM4 третьего поколения. Компания подтвердила, что она будет реализовывать конструкцию многочипового модуля (MCM) даже для своего основного процессора для настольных ПК, в которой она будет использовать один или два 7-нм чипсета ядра ‘Zen 2’, которые взаимодействуют с 14-нм I / O контроллером Infinity Fabric. Двумя крупнейшими компонентами IO-матрицы являются корневой комплекс PCI-Express и важнейший двухканальный контроллер памяти DDR4. Мы представляем вам никогда ранее не сообщаемые детали этого контроллера памяти.
У AMD есть две веские причины выбрать маршрут MCM даже для своей основной настольной платформы. Во-первых, это позволяет им смешивать и сочетать технологии производства кремния. AMD считает, что более экономичным является создание только тех компонентов в сокращенном 7-нанометровом производственном процессе, которые могут извлечь выгоду из сокращения; а именно ядра процессора. Другие компоненты, такие как контроллер памяти, могут по-прежнему строиться на существующих 14 нм технологиях, которые к настоящему времени являются достаточно зрелыми (= экономически эффективными). AMD также конкурирует с другими компаниями за свою долю в 7 нанометров в TSMC.
Теоретически 14-нм матричный контроллер ввода-вывода может быть получен от GlobalFoundries для выполнения соглашения о поставке пластин. Вторая важная причина — экономика сокращения. Ожидается, что AMD увеличит число процессорных ядер до 8, а переполнение 12-16 ядер на одной 7-нм пластинке сделает процесс изготовления дешевле SKU за счет отключения дорогостоящих ядер, потому что AMD не всегда собирает матрицы с неисправными ядрами. Эти SKU среднего уровня продаются в больших объемах, и AMD не может полностью отключить совершенно функциональные ядра. Более разумно создавать 8-ядерные или 6-ядерные чипсеты, а на SKU с 8 или менее ядерным ядром физически развернуть только один чипсет. Таким образом, AMD максимально использует драгоценные 7 нм пластины.
Недостатком этого подхода является то, что контроллер памяти больше не физически интегрирован с ядрами процессора. Процессор Ryzen 3-го поколения (и все остальные процессоры Zen 2), следовательно, имеют «встроенный дискретный» контроллер памяти. Контроллер памяти физически расположен внутри процессора, но не на том же куске кремния, что и ядра процессора. AMD не первая, кто придумал такую штуковину. Процессор Intel ‘Clarkdale’ 1-го поколения пошел по тому же пути: ядра ЦП установлены на 32-нм кристалле, а контроллер памяти и встроенный графический процессор — на 45-нм кристалле.
Intel использовала свое Quick Path Interconnect (QPI), которое было самым современным в то время. AMD подключается к Infinity Fabric — новейшему масштабируемому межсоединению с высокой пропускной способностью, которое широко применяется в линейках продуктов Zen и Vega. Мы узнали, что с ‘Matisse’ AMD представит новую версию Infinity Fabric, которая предлагает вдвое большую пропускную способность по сравнению с первым поколением, или до 100 ГБ / с. AMD нуждается в этом, потому что теперь одна матрица контроллера ввода-вывода должна взаимодействовать с двумя кристаллами 8-ядерных процессоров и до 64 ядер в их линейке SKU ‘EPYC’.
Наш резидент Ryzen Memory Guru Юрий ‘1usmus’ Bubliy очень внимательно посмотрел на одно из этих обновлений BIOS с AGESA 0.0.7.x и нашел несколько новых элементов управления и опций, которые будут эксклюзивными для ‘Matisse’ и, возможно, следующего поколения Процессоров Ryzen Threadripper. AMD изменила название раздела CBS с «Общие параметры Zen» на «Общие параметры Valhalla». За последние несколько дней мы несколько раз видели это кодовое имя в Интернете, связанное с «Zen 2». Мы узнали, что Valhalla может быть кодовым названием платформы, состоящей из 3-го поколения процессора Ryzen ‘Matisse’ AM4 и его сопутствующей материнской платы на чипсете AMD серии 500, в частности, преемника X470, который разрабатывается компанией AMD. в отличие от источников от ASMedia.
При серьезном разгоне памяти может случиться, что Infinity Fabric не справится с повышенной скоростью памяти. Помните, что Infinity Fabric работает с частотой, синхронизированной с памятью. Например, с памятью DDR-3200 (работающей на частоте 1600 МГц) Infinity Fabric будет работать на частоте 1600 МГц. Это значение по умолчанию Zen, Zen +, а также Zen 2. В отличие от предыдущих поколений, новый BIOS предлагает опции UCLK для «Авто», «UCLK == MEMCLK» и «UCLK == MEMCLK / 2». Последний вариант является новым и пригодится при разгоне памяти для достижения стабильности, но за счет некоторой пропускной способности Infinity Fabric.
Precision Boost Overdrive получит более детальный контроль на уровне BIOS, и AMD вносит существенные изменения в эту функцию, чтобы сделать настройку разгона более гибкой и улучшить алгоритм. Первые пользователи AGESA Combo 0.0.7.x на материнских платах с чипсетом AMD серии 400 заметили, что PBO сломался или стал глючить на своих машинах. Это связано с плохой интеграцией нового алгоритма PBO с существующим, совместимым с «Pinnacle Ridge». AMD также внедрила «Core Watchdog», функцию, которая сбрасывает систему в случае, если адрес или ошибки данных дестабилизируют машину.
CAKE, или «coherent AMD socket extender», получил дополнительную настройку, а именно «Границы производительности CAKE CRC». AMD внедряет IFOP (Infinity Fabric On Package) или версию IF без розетки в трех местах на MCM ‘Matisse’. У матрицы контроллера ввода / вывода есть связи IFOP со скоростью 100 ГБ / с с каждым из двух 8-ядерных чипсетов, а еще одна связь IFOP со скоростью 100 ГБ / с соединяет эти две микросхемы друг с другом. Для реализации с несколькими сокетами «Zen 2» AMD предоставит элементы управления NUMA, а именно «NUMA nodes per socket», с опциями, включая «NPS0», «NPS1», «NPS2», «NPS4» и «Авто».
С «Zen 2» AMD представляет несколько новых функций уровня DCT. Первый называется «DRAM Map Inversion», с опциями, включая «Отключено», «Включено» и «Авто». Описание этой опции, предоставленное поставщиком материнских плат, звучит так: «Properly utilize the parallelism within a channel and DRAM device. Bits that flip more frequently should be used to map resources of greater parallelism within the system.». Другой вариант — «DRAM Post Package Repair,» с такими опциями, как «Включено», «Отключено» и «Авто». Этот новый специальный режим (который является стандартом JEDEC) позволяет производителю памяти увеличивать производительность DRAM путем выборочного отключения поврежденных ячеек памяти, автоматически заменяя их работающими из резервной области, подобно тому, как устройства хранения отображают поврежденные сектора. Мы не уверены, почему такая функция предоставляется конечным пользователям, особенно из клиентского сегмента. Возможно, он будет снят с производства материнских плат.
Мы также натолкнулись на интересную опцию, связанную с контроллером ввода-вывода, которая позволяет вам выбирать генерацию PCI-Express вплоть до «Gen 4.0». Это может указывать на то, что некоторые существующие материнские платы с чипсетом 400-й серии могут получать PCI-Express Gen 4.0, учитывая, что мы изучаем прошивку материнской платы с чипсетом 400-й серии.Мы слышали из надежных источников, что реализация AMD PCIe Gen 4.0 предполагает использование внешних устройств повторного драйвера на материнской плате. Это не дешево. Texas Instruments продает редрайверы Gen 3.0 по 1,5 доллара за штуку в количестве 1000 штук. Производителям материнских плат придется выложить по крайней мере 15-20 долларов на материнские платы с сокетом AM4 со слотами Gen 4.0, учитывая, что вам нужно 20 таких редриверов, по одному на линию. Мы столкнулись с несколькими другими общими элементами управления, включая «RCD Parity» и «Memory MBIST» (новая программа самотестирования памяти).
Одна из страниц программы установки встроенного программного обеспечения называется «SoC Miscellaneous Control» и содержит следующие параметры, многие из которых являются отраслевыми стандартами:
В общем, AMD Ryzen ‘Matisse’ обещает предоставить продвинутым и энтузиастам пользователей сундук с сокровищами вариантов настройки. Еще раз спасибо Yuri «1usmus» Bubliy, который внес значительный вклад в эту статью.
DDR4 и Ryzen. Нюансы настройки и разгона памяти на платформе AMD AM4
За последние несколько лет AMD выпустила два поколения высокопроизводительных процессоров Ryzen, основанных на совершенно новой архитектуре с огромным потенциалом. Недавно компания представила уже третье поколение. Но, тем не менее, Интернет полон страхов и недопониманий потенциала платформы «не от Intel». Некоторые пользователи до сих пор боятся приобретать систему AMD AM4 из-за ряда причин, проявившихся во время старта продаж первого поколения.
Мое имя Юрий Бублий (@1usmus), я являюсь разработчиком DRAM Calculator for Ryzen, автором многочисленных BIOS-модификаций и куратором десятка тем, посвященных этим процессорам и всему, что их окружает. После двух лет исследований и разработок я готов поделиться своими секретами по оптимизации памяти в системах Ryzen. Под оптимизацией я имею в виду разгон и настройку системной оперативной памяти. Да-да, то самое коварное слово «разгон».
«О Боже, там так много параметров и это может еще повлиять на гарантию!» — подумали вы. Нет, все гораздо проще. Сегодня я расскажу, на что стоит обратить внимание при покупке, как быстро и правильно настроить систему, минуя страхи и типичные ошибки, которые можно получить в процессе разгона.
Некоторые из вас могут спросить, какие реальные преимущества можно получить от разгона памяти и что в целом оно даст? Начну с того, что существует возможность увеличить средний fps в играх до 50% только благодаря оптимизации подсистемы памяти. Этот показатель не является просто числом, это сумма факторов, которые влияют на качество вашего геймплея. Сюда входят значения 1% low и 0,1% low, минимальный fps, средний и максимальный. То есть, если у вас есть желание получить максимум отдачи от системы, вам все-таки придется осилить эту статью.
Звучит заманчиво, не так ли?
Infinity Fabric
Для связи между отдельными блоками в процессорах AMD Ryzen используется внутреннее соединение Infinity Fabric, пришедшее на смену шине HyperTransport.
Под блоками подразумевается вычислительные комплексы ЦП (группы до 4 ядер ЦП именуемые CCX). Infinity Fabric имеет свой собственный тактовый домен, который синхронизируется с физической частотой памяти. Поколения Zen 1 и Zen+ работают в режиме UCLK=MEMCLK. Поколение Zen 2 получит дополнительный режим UCLK=1/2 MEMCLK, который существенно увеличит частотный потенциал DRAM во время разгона.
Конструктивно Infinity Fabric представляет собой 256-битную двунаправленную шину. С ее помощью в шестиядерных и восьмиядерных моделях процессоров Ryzen (архитектуры Zen 1 и Zen+) два четырехъядерных модуля (CCX) обмениваются данными с другими блоками, включая контроллер PCI Express и южный мост. В Zen 2 обмен данными происходит не только между CCX, а и между чиплетами CCD и мастер-чиплетом I/O посредством новой двунаправленной шины.
Infinity Fabric Zen/Zen+ функционирует на частоте, равной физической частоте системной ОЗУ. Например, если контроллер памяти работает c DDR4-2133 в режиме UCLK=MEMCLK, матрица коммутатора синхронизируется с частотой 1066 МГц (напомню, эффективная частота указана в обозначении памяти). Это означает, что более быстрая память позволяет увеличить пропускную способность внутреннего соединения Infinity Fabric.
Эта технология открывает большие перспективы при создании многоядерных процессоров, таких как Ryzen 3000, о которых мы вскоре с вами поговорим.
Типы памяти
За последние 10 лет компания Intel посеяла в головах пользователей главный тезис — оперативная память это декоративная заглушка, иногда она имеет подсветку и прикольно выглядит в корпусе, люди перестали задумываться о реальной значимости ОЗУ.
На данный момент на рынке оперативной памяти представлено огромное кол-во вариантов, которые могут нас заинтересовать, но могут оказаться совершенно бесполезными. Какую же выбрать?
Лидером в разгоне является оперативная память на чипах Samsung B-die (20 нм). Эти чипы демонстрируют рекордные показатели частоты/латентности «из коробки». Хочу отметить важный момент, что вам не обязательно покупать набор, на котором будет нарисовано красивые числа вроде 4200+ МГц, в большинстве случаев разгон такого комплекта будет сопоставим с набором DDR4-3000 с CL14. Безусловно, кремниевая лотерея присутствует и может оказаться, что «3000CL14» больше 3600 МГц не захотят брать стабильно. В качестве примера я покажу вам, что могут модули, которые попали в этот материал.
Первыми в списке идут G.Skill Sniper X 3400C16 (F4-3400C16-16GSXW). Это одноранговая (или single rank) память, базовые характеристики нельзя назвать феноменальными, в отличие от результата, который получен после разгона.
Так же на этих модулях удалось получить заветные 3733 МГц при CL14, но с довольно большим напряжением — 1,51 вольт. Я считаю, что данное напряжение не подходит для использования в режиме 24/7, так как есть шанс получить преждевременную «смерть» плашек.
Далее в списке приоритетных покупок идет память, основанная на чипах SK hynix CJR (18 нм). В моем распоряжении были G.Skill Sniper X 3600C19 (F4-3600C19-16GSXWB), данная память почти на 50% дешевле вышеупомянутых Samsung B-die.
Касаемо разгона — 3933 МГц при CL16, абсолютный рекорд по частоте и пропускной способности для 4-слотовой материнской платы (о ней мы поговорим позже).
И это для нее не предел, 4000 МГц при CL16 реальность.
В свежей версии калькулятора я подготовил пресеты включительно до 3867 МГц.
Так же в этом году рынок получил и новые Micron H/E-die (19 нм). К сожалению, на момент написания материала этих наборов у меня в руках еще не было. По предварительным тестам моих коллег, память аналогично хороша в разгоне и может составить конкуренцию для Hynix CJR.
А что же двухранговая память, она же dual rank? На данный момент результаты разгона данного типа оперативной памяти довольно печальные, контроллеру памяти тяжело справлять с четырьмя рангами. Даже не контроллеру, а «разводке» шин. Максимум, что пока доступно — 3466 МГц при CL14 для Samsung B-die и 3600 МГц при CL16 для Hynix CJR. Единственный плюс от четырех рангов — это внушительный объем оперативной памяти и технология чередования рангами, которая увеличит производительность системы в играх. Что как и на сколько — вы увидите в разделе тестов.
Материнские платы и топология
Существует очень много материснких плат на разных чипсетах, в различных форм-факторах и с разными скрытыми особенностями. Ключевой особенностью в разгоне памяти на системах Ryzen является DIMM-топология, количество слоев PCB и DIMM-слотов.
Рекордсменом в разгоне оперативной памяти являются двухслотовые материнские платы, например ASUS ROG Strix X470-I Gaming.
Отсутствие двух дополнительных слотов серьезно влияет на качество сигналов и переотражения на линии. Что касается предельной частоты разгона без использования воды или азота — около 3866–3933 МГц.
Далее идут платы с топологией Daisy Chain, их преимущество заключается в оптимизированной длине линий (шины) между процессором и слотами А2 и В2.
Типичными представителями являются ASUS ROG Crosshair VII Hero, ASUS Prime X470-Pro и MSI X470 Gaming M7 AC.
3800 МГц это максимум, который доступен этим представителям при использовании двух модулей single rank и без использования экстримальных способов охлаждения.
При использовании четырех модулей разгон несколько хуже, предел находится на частотах 3400–3466 МГц.
Замыкают список платы с Т-топологией, которые имеют посредственные результаты разгона при использовании двух модулей оперативной памяти, но прекрасные результаты, если установлено четыре модуля (до 3533 МГц включительно). Яркие примеры — это Asrock X470 Taichi и ASUS ROG Crosshair VI.
Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core
На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.
Делимся переводом, приятного прочтения.
Содержание
Подготовка
Ожидания и ограничения
В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).
Материнская плата
Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв (?).
Микросхемы (чипы памяти)
Отчёты Thaiphoon Burner
По общему мнению, свои отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek. Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.
Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения. Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько я знаю, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения. Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.
Масштабирование напряжения CL11
На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до 2533 МГц. У B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.
Некоторые старые чипы Micron (до Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте. Ниже приведена таблица некоторых популярных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:
| Чип | tCL | tRCD | tRP | tRFC |
| 8 Гб AFR | Да | Нет | Нет | ? |
| 8 Гб CJR | Да | Нет | Нет | Да |
| 8 Гб Rev. E | Да | Нет | Да | ? |
| 8 Гб B-die | Да | Да | Да | Да |
Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой. Масштабирование напряжения tRFC у B-die.
Примечание: Шкала tRFC в тактах (тиках), не во времени (нс).
Ожидаемая максимальная частота
Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:
| Чип | Ожидаемая максимальная частота (МГц) |
| 8 Гб AFR | 3600 |
| 8 Гб CJR | 4000* |
| 8 Гб Rev. E | 4000+ |
| 8 Гб B-die | 4000+ |
* – результаты тестирования CJR у меня получились несколько противоречивыми. Я тестировал 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте 3600 МГц, другая – на 3800 МГц, а последняя смогла работать на 4000 МГц. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.
Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.
Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемой при тестировании частоте.
Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка).
B-die из коробки «2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «3200 14-14-14» или даже из «3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.
Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.
Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа. Например, Crucial Ballistix 3000 15-16-16 и 3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.
А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты. 3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.
Как видите, 3000 15-16-16 более качественный чип, нежели 3200 16-18-18. Это означает, что чипы 3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как 3200 16-18-18, а вот смогут ли 3200 16-18-18 работать как 3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.
Максимальное рекомендованное повседневное напряжение
Спецификация JEDEC указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В
Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.
Я бы советовал использовать 1,5 В только на B-die, поскольку известно, что он выдерживает высокое напряжение. Во всяком случае, у большинства популярных чипов (4/8 Гб AFR, 8 Гб CJR, 8 Гб Rev. E, 4/8 Гб MFR) максимальное рекомендуемое напряжение составляет 1,45 В. Сообщалось, что некоторые из менее известных чипов, таких как 8 Гб C-die, имеют отрицательное масштабирование или даже сгорают при напряжении выше 1,20 В. Впрочем, решать вам.
Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.
Встроенный контроллер памяти (IMC)
IMC от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?
Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). Не оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота:
предоставлено: Silent_Scone.
Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.
Ниже – предлагаемые мной значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:
| Частота (МГц) | VCCSA/VCCIO (В) |
| 3000-3600 | 1,10 – 1,15 |
| 3600-4000 | 1,15 – 1,20 |
| 4000+ | 1,20 – 1,25 |
Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.
tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die.
В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.
Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.
В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 намного лучше и более-менее наравне с Intel.
SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Тут достаточно 1,0 – 1,1 В, поднимать выше смысла нет.
На Ryzen 2000 (а возможно и на 1000 и 3000), вольтаж выше 1,15 В может отрицательно повлиять на разгон.
«На разных процессорах контроллер памяти ведет себя по-разному. Большинство процессоров будут работать на частоте 3466 МГц и выше при напряжении SoC 1,05 В, однако разница заключается в том, как разные процессоры реагируют на напряжение. Одни выглядят масштабируемыми с повышенным напряжением SoC, в то время как другие просто отказываются масштабироваться или вовсе демонстрируют отрицательное масштабирование. Все протестированные экземпляры демонстрировали отрицательное масштабирование при использовании SoC более 1,15 В. Во всех случаях максимальная частота памяти была достигнута при напряжении SoC = GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.
У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.
«В пропускной способности памяти мы видим нечто странное: скорость записи у AMD 3700X – у которого скорость записи благодаря соединению кристаллов CDD и IOD составляет 16 байт/такт – вдвое меньше, чем у 3900X. AMD заявляет, что это позволяет экономить электроэнергию, снизить нагрев процессора (TDP), к чему так стремится AMD. AMD говорит, что приложения редко делают чистые операции записи, но в одном из наших тестов на следующей странице мы увидим, как это ухудшило производительность 3700X.»
| Ryzen | Латентность (нс) |
| 1000 | 65-75 |
| 2000 | 60-70 |
| 3000 | 65-75 (1:1 MCLK:FCLK) 75+ (2:1 MCLK:FCLK) |
Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.
Разгон
Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.
Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:
Нахождение максимальной частот
На AMD начинать нужно с 1.10 В SoC. Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя.
Обратите внимание, что это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на частоте 3000 МГц может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на частоте 3400 МГц приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В. MSI: CPU NB/SOC.
2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Для планок на чипах Micron/SpecTek (за исключением Rev. E) следует установить 1,35 В.
3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS). Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)
4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше. На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Используйте Asrock Timing Configurator. Поскольку у меня обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, мне нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1.
В моём случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.
На Ryzen 3000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.
5. Запустите тест памяти на свой выбор.
6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.
7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.
8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Ее забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.
Пробуем повысить частоты
2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42.
3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В.
4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Нахождение максимальной частоты».
5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.
Дополнительно: Тайминги и частота — разрушаем мифы
Оптимизация таймингов
Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности.
На процессорах Ryzen 3000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-95% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи. См. здесь (англ.)
2. Я бы рекомендовал для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.
| Тайминги | Надёжно (Safe) | Оптимально (Tight) | Предельно (Extreme) |
| tRRDS tRRDL tFAW | 6 6 24 | 4 6 16 | 4 4 16 |
| tWR | 16 | 12 | 10 |
3. Далее идут основные тайминги (tCL, tRCD, tRP).
4. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).
Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:
| Чип | tRFC (нс) |
| 8 Гб AFR | 260-280 |
| 8 Гб CJR | 260-280 |
| 8 Гб Rev. E | 300-350 |
| 8 Гб B-die | 160-180 |
5. Оставшиеся второстепенные тайминги я предлагаю выставить следующим образом:
| Тайминг | Надёжно (Safe) | Оптимально (Tight) | Предельно (Extreme) |
| tWTRS tWTRL | 4 12 | 4 8 | — |
| tRTP | 12 | 10 | 8 |
| tCWL | tCL | tCL-1 | tCL-2 |
На Intel значения таймингов tWTRS/L следует сначала оставить в “Auto”, изменяя вместо них значения tWRRD_dg/sg соответственно. Уменьшение tWRRD_dg на 1 приведет к уменьшению tWTRS на 1. Аналогично с tWRRD_sg. Как только они достигнут минимума, вручную установите tWTRS/L.
6. Третьестепенные тайминги:
Пользователям AMD будет полезен этот текст (англ.)
| Тайминг | Надёжно (Safe) | Оптимально (Tight) | Предельно (Extreme) |
| tRDRDSCL tWRWRSCL | 4 4 | 3 3 | 2 2 |
Пользователям Intel следует настраивать третьестепенные тайминги группой за раз, как видно из таблицы предлагаемых мной значений.
А тут тайминги на B-die, к сведению.
tREFI – это тоже тайминг, позволяющий повысит ьпроизводительность. В отличие от всех других таймингов, чем выше его значение – тем лучше.
Не стоит слишком увлекаться им, поскольку перепады температур окружающей среды (например, зима-лето) могут быть достаточными для возникновения нестабильности.
7. Также можно увеличить напряжение DRAM, чтобы ещё больше снизить тайминги. Вспомните про масштабирование напряжения чипов и максимальное рекомендованное повседневное напряжение, о чём мы говорили выше.
Дополнительно: Настройка таймингов DRAM на ASUS ROG MAXIMUS XI APEX
Дополнительные советы
Увеличение CLDO_VDDP похоже влияет положительно на частотах выше 3600 МГц, так как, по-видимому, улучшается гибкость и, следовательно, становится меньше ошибок.
Также будет интересно: