ПЗУ — где хранится и зачем нужна
Доброго времени суток.
Если вы хотите заполнить пробел в знаниях относительно того, что такого ПЗУ, то попали по адресу. В нашем блоге вы сможете прочитать об этом емкую информацию на языке, доступном для простого пользователя.
Расшифровка и объяснение
Буквы ПЗУ являются заглавными в формулировке «постоянное запоминающее устройство». Его еще можно равноправно назвать «ROM». Английская аббревиатура расшифровывается как Read Only Memory, а переводится — память только для чтения.
Эти два названия раскрывают суть предмета нашей беседы. Речь идет об энергонезависимом типе памяти, которую можно только считывать. Что это значит?
Стереть информацию с такого устройства можно только специальными методами, к примеру, ультрафиолетовыми лучами.
Примеры
Постоянная память в компьютере — это определенное место на материнской плате, в котором хранятся:
В мобильных гаджетах постоянная память хранит в себе стандартные приложения, темы, картинки и мелодии. При желании пространство для дополнительной мультимедийной информации расширяют с помощью перезаписываемых SD-карт. Однако если устройство используется только для звонков, в расширении памяти нет необходимости.
В целом, сейчас ROM есть в любой бытовой технике, автомобильных плеерах и прочих девайсах с электроникой.
Физическое исполнение
Чтобы вы лучше могли познакомиться с постоянной памятью, расскажу больше о ее конфигурации и свойствах:
Разновидностей ПЗУ несколько, но чтобы не терять ваше время, назову только две основных модификации:
В принципе это всё, что я хотел сегодня до Вас донести.
Буду рад, если вы подпишетесь на обновления и будете заходить чаще.
Блок пзу что это
В зависимости от типа ЗУ элементом памяти (ЭП) может быть: триггер, миниатюрный конденсатор, транзистор с «плавающим затвором», плавкая перемычка (или ее отсутствие). Упорядоченный набор ЭП образует ячейку памяти (ЯП). Количество элементов памяти в ячейке (длина слова) обычно кратно 2 n (1,4,8,16, 32,64..), причем величины свыше 8-ми достигаются, обычно, группировкой микросхем с меньшим количеством ЭП. Количество ЭП в ЯП иногда называется длиной слова. Основными характеристиками микрсхем памяти являются: информационная емкость, быстродействие и энергопотребление. Емкость ЗУ чаще всего выражается в единицах кратных числу 2 10 = 1024 = 1K. Для длины слова равной биту (одному двоичному разряду) или байту (набору из восьми бит) эта единица называется килобит или килобайт и обозначается Kb или KB.
5.1 ОЗУ СТАТИЧЕСКОГО ТИПА
В качестве элемента памяти используется простейший D-триггер защелка. В микросхеме 537РУ10 каждая ЯП состоит из восьми триггеров и располагаются ячейки на кристалле в виде прямоугольной матрицы.
На рисунке внизу показан фрагмент внутренней структуры микросхемы, по которому можно проследить основные режимы ее работы. Здесь же дано условное обозначение микросхемы.
CS, во всех микросхемах, где он встречается, служит для приведения схемы в рабочее состояние низким уровнем сигнала на этом входе.
CS = 0, схемы ИЛИ-НЕ разблокируются и дальше все зависит от значений сигналов
В режиме записи сигнал
WE = 0. Поэтому независимо от значения сигнала
OE=0 и при Yr=Yc=1, выходной сигнал
Q после инверсии элементом Иij с открытым коллектором проходит на выход DIOi.
Для увеличения информационной емкости,отдельные микросхемы группируются в банки и их одноименные выходы должны объединяться. По этой причине выходы всех микросхем памяти также выполняются с открытым коллектором либо с третьим состоянием.
В ЭВМ статическое ОЗУ используется в быстродействующей Cash-памяти.
5.2 ОЗУ ДИНАМИЧЕСКОГО ТИПА
В качестве элемента памяти используется микроконденсатор в интегральном исполнении, размеры которого значительно меньше D-триггера статической памяти. По этой причине, при одинаковых размерах кристалла, информационная емкость DRAM выше, чем у SRAM. Количество адресных входов и габариты должны увеличиться.Чтобы не допустить этого, адресные линии внутри микросхемы разбиваются на две группы, например старшая и младшая половина. Две одноименные k-линии каждой группы подключаются к двум выходам внутреннего k-го демультиплексора «1 в 2», а его вход соединяется с k-ым адресным входом микросхемы. Количество адресных входов, при этом уменьшается в два раза, но зато передача адреса в микросхему должна производиться, во-первых в два приема, что несколько уменьшает быстродействие, и во-вторых потребуется дополнительный внешний мультиплексор адреса.В процессе хранения бита конденсатор разряжается. Чтобы этого не допустить заряд необходимо поддерживать.
Суммируя, можно перечислить чем отличается динамическое ОЗУ от статического: 1)мультиплексированием адресных входов, 2)необходимостью регенерации хранимой информации, 3)повышенной емкостью (до нескольких Мбит), 4)более сложной схемой управления. На рисунке внизу приведено условное обозначение м/с 565РУ7 емкостью 256K*1 (2 18 K) и способ подключения 18-ти линий адреса к девяти адресным входам с помощью 9-ти мультиплексоров «2 в 1», например трех счетверенных селекторов-мультиплексоров типа 1533КП16.
R/C на входе выбора S мультиплексора, равен нулю, то A(0..8) = Y(0..8) и в микросхему передается адрес строки. Этот адрес фиксируется отрицательным фронтом строба адреса строк
R/C = 1 на выходы мультиплексора передается адрес столбцов A(9..17), который защелкивается отрицательным перепадом строба адреса столбцов
5.3 РЕПРОГРАММИРУЕМОЕ ПЗУ
Микросхемы РПЗУ допускают многократное, до сотен тысяч, циклов перепрограммирования на рабочем месте пользователя. Это свойство обеспечивается применением ЭП на МОП транзисторах с «плавающим затвором». Толщина изоляции «плавающего затвора» порядка 200 ангстрем. Информация считается стертой, если на выходах всех ЭП высокий уровень сигнала. В режиме программирования, на выбранный по адресной шине ЭП, куда необходимо записать ноль, подается импульс. Стирание осуществляется УФ-излучением (EPROM), либо электрически (EEPROM). При этом все ячейки переводятся в состояние «1». Записанная информация сохраняется в течение нескольких лет. Одной из м/с этого типа является EPROM 573РФ2 с организацией (2К * 8) и тристабильными выходами.
В Flash-памяти толщина изоляции «плавающего затвора» менее 100 ангстрем, поэтому при перепрограммировании используется туннельный эффект.
5.4 ОДНОКРАТНО ПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПЗУ ППЗУ (PROM,OTP)
в качестве элементов памяти имеют набор плавких перемычек, которые в процессе программирования пережигаются импульсами тока. На рис.75 приведена схема ППЗУ.
Для любого значения адресных сигналов найдется единственный выход дешифратора «i» на котором сигнал Yi = 1, на остальных выходах будут нули. Потенциал базы j-транзистора будет зависеть в этом случае только от наличия или отсутствия перемычки fi. Если перемычка есть (fi=1), то на базе высокий уровень сигнала, транзистор открыт и выходной сигнал DOj = 0. Если перемычки нет (fi=0),то DOj=1.Пережиганием перемычек в соответствующих j-битах всех адресов, в микросхему записывается программа и/или данные. Выходной сигнал дешифратора Yi = mi, где mi-минтерм входных переменных A0..An-1.Транзистор с перемычками выполняет роль ИЛИ-НЕ, поэтому сигнал
Ak, если Ak во входном наборе равна 0 и /Ak = Ak, если Ak = 1. Эти формулы соответствуют формулам СДНФ (12), поэтому с помощью ПЗУ с n-адресными входами и m-выходами можно реализовать любые m-логических функций с n-переменными (учитывая инверсию сигнала выходным каскадом).
5.5 ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ (NVSRAM)
с дополнительной EEPROM на том же кристалле, причем обмен данными между SRAM и EEPROM производится либо программно либо автоматически при падении/восстановлении напряжения
5.6 УВЕЛИЧЕНИЕ РАЗРЯДНОСТИ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ (СЛОВА)
5.7 УВЕЛИЧЕНИЕ КОЛИЧЕСТВА ЯЧЕЕК ПАМЯТИ
Одноименные j- е выходы микросхем с открытым коллектором соединены с общим нагрузочным резистором Rj. Три старших дополнительных бита адреса A10,A9,A8 выбирают одну из восьми микросхем, а восемь младших бит адреса выводят содержимое одной из 256-ти ячеек памяти на шину данных (ШД).Пусть на шину адреса (ША) поступил код A10..A0 = 11000011010 = 61A. На всех выходах дешифратора, кроме шестого (A10..A8 = 110 =6) будет высокий уровень. Нулевой сигнал
OE1 шестой микросхемы разрешит прохождение записанной информации на выходы, а код 1 1010 = 1A(HEX) = 26(DEC) на адресных входах A7..A0 извлечет содержимое 26-ой ЯП и поместит его на четыре линии шины данных (ШД).
5.8 ПРОГРАММИРУЕМЫЕ ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
Проектирование современных цифровых устройств невозможно без использования программируемых цифровых ИС (ПЦИС). Они обладают следующими преимуществами перед дискретными элементами: 1)Уменьшение габаритов устройства, 2)Увеличение быстродействия, 3)Повышение надежности, 4)Защита от копирования результатов разработки, 5)Беспрецедентная скорость разработки и модификации проекта, 6)Разработку и модификацию устройства может вести потребитель на своем рабочем столе.
СТРУКТУРА ПЦИС
Схемные характеристики большинства ПЦИС основаны на реализации диз’юнктивной нормальной формы (ДНФ) с помощью элементов И,ИЛИ,ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ и инверторов. В состав ПЦИС входят также триггеры, мультиплексоры конфигурации буферы (прямые, инверсные, тристабильные) и программируемые перемычки. Потребительские свойства разрабатываемой потребителем схемы складываются, т.о. из жесткой топологии, закладываемой на заводе и из схемных особенностей проекта программируемых разработчиком (потребителем). Основой ПЦИС является набор матриц И и ИЛИ и макроячеек, включающих триггеры, буферы входов/выходов, элементы управления и обратные связи. Укрупненная структурная схема ПЦИС показана на рис.1.
Входы элементов И матрицы И принято обозначать на схемах (не по ГОСТ’у между прочим) как на рис.2 слева. В середине то же по ГОСТ.
В незапрограммированном виде пермычки находятся на месте. Удаляя (значок X) с помощью программатора перемычки можно получить любое логическое произведение (терм) входных переменных. На рис.2 перемычка от линии x1 до соответствующего входа И удалена. Обычно на входы матриц И заводятся не только прямые, но и инверсные значения переменных. Выходы матриц И, как и положено в ДНФ подключаются к элементам ИЛИ. Внимательно изучите рис.3 и особенно обозначение пересечений без соединения и с соединением проводников.
Выход элемента ИЛИ подключен через управляемый инвертор/повторитель, выполненный на ИСКЛ.ИЛИ (=1), во-первых к входу триггера, во-вторых через мультиплексор MUX1 и управляемый тристабильный буфер к выходу.
Если буфер переведен в третье состояние сигналом E, внешний вывод микросхемы «выход/вход» может служить входом. Через MUX2, также может заводиться сигнал обратной связи с выхода триггера. Cигналы от перемычек F(use)1 и F(use)2 поступают на управляющие входы мультиплексоров «2->1» обеспечивая подключение одного из двух входов к единственному выходу, каждого MUX. Программирование ПЦИС под конкретную задачу может многократно производиться конфигурированием перемычек с помощью специальных программаторов под управлением САПР.
5.9 ЗАДАЧИ И УПРАЖНЕНИЯ
Пояснения : 1)Микросхема имеет три управляющих входа: выбор микросхемы
CS, разрешение выходов
OE и разрешение записи
WR, последний вход и определяет принадлежность микросхемы к ОЗУ (ram). 2)Наличие двух адресных входов свидетельствует о 2^2 ячейках памяти. 3)Две линии данных соответствуют длине слова = 2
Найдите логическую функцию на выходе Y матрицы И,ИЛИ ПЦИС.
Найдите логическую функцию на выходе Y.
Пояснения: На рисунке показаны только задействованные элементы И в каждой макроячейке. Выходной буфер у каждой макроячейки инвертирующий. Поэтому верхняя матрица И,ИЛИ реализует функцию Yi =
h). Сигнал Yi является входным для нижней схемы И, но не поступает на вход верхней, так как сответствующая перемычка разомкнута. Далее продолжите решение самостоятельно. Не забывайте про соотношение двойственности (Де Моргана)!
Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ)
ПЗУ — это энергонезависимая память, в которой хранятся программы для микроконтроллеров и DSP. ПЗУ используются вместо винчестеров в смартфонах и бытовой технике. Записанная информация в нем сохраняется даже при выключении питания.
Очень часто в различных применениях требуется хранение информации, которая не изменяется в процессе эксплуатации устройства. Это такая информация как программы в микроконтроллерах, начальные загрузчики (BIOS) в компьютерах, таблицы коэффициентов цифровых фильтров в сигнальных процессорах, DDC и DUC, таблицы синусов и косинусов в NCO и DDS. Практически всегда эта информация не требуется одновременно, поэтому простейшие устройства для запоминания постоянной информации (ПЗУ) можно построить на мультиплексорах. Иногда в переводной литературе постоянные запоминающие устройства называются ROM (read only memory — память доступная только для чтения). Схема такого постоянного запоминающего устройства (ПЗУ) приведена на рисунке 1.
Рисунок 1. Схема постоянного запоминающего устройства (ПЗУ), построенная на мультиплексоре
В этой схеме построено постоянное запоминающее устройство на восемь одноразрядных ячеек. Запоминание конкретного бита в одноразрядную ячейку производится запайкой провода к источнику питания (запись единицы) или запайкой провода к корпусу (запись нуля). Для его подключения к системной шине используется сигнал чтения RD (Сокращение от английского слова read — чтение). Сигнал CS (chip select — выбор кристалла) тоже отключает выход схемы от систимной шины. Он используется для подключения дешифратора адреса компьютера или для увеличения количества ячеек. На принципиальных схемах постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) обозначается как показано на рисунке 2.
Рисунок 2. Обозначение постоянного запоминающего устройства на принципиальных схемах
Мы с вами получили одноразрядное ПЗУ. Однако обычно для записи двоичных кодов требуются многоразрядные ячейки памяти. Для того, чтобы увеличить разрядность ячейки памяти одноразрядные постоянные запоминающие устройства можно соединять параллельно (выходы и записанная информация естественно остаются независимыми). Схема параллельного соединения четырёх одноразрядных ПЗУ приведена на рисунке 3.
Рисунок 3. Схема многоразрядного ПЗУ (ROM)
В реальных микросхемах ПЗУ запись информации производится при помощи последней операции производства микросхемы — металлизации. Металлизация поверхности полупроводникового кристалла производится через маску, поэтому такие ПЗУ получили название масочных ПЗУ. Еще одно отличие реальных микросхем постоянных запоминающих устройств от упрощенной модели, приведенной выше — это использование кроме мультиплексора еще и демультиплексора. Такое решение позволяет превратить одномерную запоминающую структуру в двухмерную и, тем самым, существенно сократить объем схемы дешифратора, необходимого для работы схемы ПЗУ. Этот метод реализации схемы иллюстрируется следующим рисунком:
Рисунок 4. Схема масочного постоянного запоминающего устройства (ROM)
Рисунок 5. Условно-графическое обозначение масочного ПЗУ (ROM) на принципиальных схемах
Программирование масочного ПЗУ производится на заводе изготовителе, что очень неудобно для мелких и средних серий производства, не говоря уже о стадии разработки устройства. Естественно, что для крупносерийного производства масочные ПЗУ являются самым дешевым видом ПЗУ, и поэтому широко применяются в настоящее время. Для мелких и средних серий производства радиоаппаратуры были разработаны микросхемы, которые можно программировать в специальных устройствах — программаторах. В этих ПЗУ постоянное соединение проводников в запоминающей матрице заменяется плавкими перемычками, изготовленными из поликристаллического кремния. При производстве ПЗУ изготавливаются все перемычки, что эквивалентно записи во все ячейки памяти ПЗУ логических единиц. В процессе программирования ПЗУ на выводы питания и выходы микросхемы подаётся повышенное питание. При этом, если на выход ПЗУ подаётся напряжение питания (логическая единица), то через перемычку ток протекать не будет и перемычка останется неповрежденной. Если же на выход ПЗУ подать низкий уровень напряжения (присоединить к корпусу), то через перемычку запоминающей матрицы будет протекать ток, который испарит ее и при последующем считывании информации из этой ячейки ПЗУ будет считываться логический ноль.
Такие микросхемы называются программируемыми ПЗУ (ППЗУ) или PROM и изображаются на принципиальных схемах как показано на рисунке 6. В качестве примера ППЗУ можно назвать микросхемы 155РЕ3, 556РТ4, 556РТ8 и другие.
Рисунок 6. Условно-графическое обозначение программируемого постоянного запоминающего устройства (PROM) на принципиальных схемах
Программируемые ПЗУ оказались очень удобны при мелкосерийном и среднесерийном производстве. Однако при разработке радиоэлектронных устройств часто приходится менять записываемую в ПЗУ программу. ППЗУ при этом невозможно использовать повторно, поэтому раз записанное ПЗУ при ошибочной или промежуточной программе приходится выкидывать, что естественно повышает стоимость разработки аппаратуры. Для устранения этого недостатка был разработан еще один вид ПЗУ, который мог бы стираться и программироваться заново.
ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием строится на основе запоминающей матрицы построенной на ячейках памяти, внутреннее устройство которой приведено на следующем рисунке:
Рисунок 7. Запоминающая ячейка ПЗУ с ультрафиолетовым и электрическим стиранием
Ячейка представляет собой МОП транзистор, в котором затвор выполняется из поликристаллического кремния. Затем в процессе изготовления микросхемы этот затвор окисляется и в результате он будет окружен оксидом кремния — диэлектриком с прекрасными изолирующими свойствами. В описанной ячейке при полностью стертом ПЗУ, заряда в плавающем затворе нет, и поэтому транзистор ток не проводит. При программировании ПЗУ, на второй затвор, находящийся над плавающим затвором, подаётся высокое напряжение и в плавающий затвор за счет туннельного эффекта индуцируются заряды. После снятия программирующего напряжения индуцированный заряд остаётся на плавающем затворе, и, следовательно, транзистор остаётся в проводящем состоянии. Заряд на плавающем затворе подобной ячейки может храниться десятки лет.
Структурная схема описанного постоянного запоминающего устройства не отличается от описанного ранее масочного ПЗУ. Единственное отличие — вместо плавкой перемычки используется описанная выше ячейка. Такой вид ПЗУ называется репрограммируемыми постоянными запоминающими устройствами (РПЗУ) или EPROM. В РПЗУ стирание ранее записанной информации осуществляется ультрафиолетовым излучением. Для того, чтобы этот свет мог беспрепятственно проходить к полупроводниковому кристаллу, в корпус микросхемы ПЗУ встраивается окошко из кварцевого стекла.
Рисунок 8. Внешний вид стираемого постоянного запоминающего устройства (EPROM)
Количество циклов записи-стирания микросхем EPROM находится в диапазоне от 10 до 100 раз, после чего микросхема РПЗУ выходит из строя. Это связано с разрушающим воздействием ультрафиолетового излучения на оксид кремния. В качестве примера микросхем EPROM можно назвать микросхемы 573 серии российского производства, микросхемы серий 27сXXX зарубежного производства. В РПЗУ чаще всего хранятся программы BIOS универсальных компьютеров. РПЗУ изображаются на принципиальных схемах как показано на рисунке 8.
Рисунок 9. Условно-графическое обозначение РПЗУ (EPROM)
Репрограммируемые ПЗУ достаточно длительное время применялись в компьютерах для хранения BIOS. Их содержимое называется прошивкой микросхемы. В настоящее время они в основном вытеснены микросхемами FLASH памяти. Ряд комплектующих компьютера, такие как видеокарты, звуковые карты, дополнительные порты тоже комплектуются микросхемами EPROM памяти.
Дата последнего обновления файла 25.10.2021
Понравился материал? Поделись с друзьями!
Для чего нужен Пзу?
Расшифровка и объяснение
Буквы ПЗУ являются заглавными в формулировке «постоянное запоминающее устройство». Его еще можно равноправно назвать «ROM». Английская аббревиатура расшифровывается как Read Only Memory, а переводится — память только для чтения.
Эти два названия раскрывают суть предмета нашей беседы. Речь идет об энергонезависимом типе памяти, которую можно только считывать. Что это значит?
Стереть информацию с такого устройства можно только специальными методами, к примеру, ультрафиолетовыми лучами.
Видео
ПЗУ с ультрафиолетовым или электрическим стиранием
И получили такие устройства название «постоянное запоминающее устройство с ультрафиолетовым или электрическим стиранием». Создаются они на основе запоминающей матрицы, в которой ячейки памяти имеют особую структуру. Так, каждая ячейка является МОП-транзистором, в котором затвор сделан из поликристаллического кремния. Похоже на предыдущий вариант, верно? Но особенность этих ПЗУ в том, что кремний дополнительно окружен диэлектриком, обладающим чудесными изолирующими свойствами, – диоксидом кремния. Принцип действия здесь базируется на содержании индукционного заряда, который может храниться десятки лет. Тут есть особенности по стиранию. Так, для ультрафиолетового ПЗУ-устройства необходимо попадание ультрафиолетовых лучей, идущих извне (ультрафиолетовой лампы и т.д.). Очевидно, что с точки зрения простоты эксплуатация постоянных запоминающих устройств с электрическим стиранием является оптимальным, так как для их активации необходимо просто подать напряжение. Принцип электрического стирания был с успехом реализован в таких ПЗУ, как флеш-накопители, которые можно увидеть у многих.
Но такая ПЗУ-схема, за исключением построения ячейки, структурно не отличается от обычного масочного постоянного запоминающего устройства. Иногда такие устройства называют ещё репрограммируемыми. Но при всех преимуществах имеются и определённые границы скорости стирания информации: для этого действия обычно необходимо около 10-30 минут.
Несмотря на возможность перезаписи, репрограммируемые устройства имеют ограничения по использованию. Так, электроника с ультрафиолетовым стиранием может пережить от 10 до 100 циклов перезаписи. Затем разрушающее влияние излучения становится настолько ощутимым, что они перестают функционировать. Увидеть использование подобных элементов можно в качестве хранилищ для программ BIOS, в видео- и звуковых картах, для дополнительных портов. Но оптимальным относительно перезаписи является принцип электрического стирания. Так, число перезаписей в рядовых устройствах составляет от 100 000 до 500 000! Существуют отдельные ПЗУ-устройства, которые могут работать и больше, но большинству пользователей они ни к чему.
Различия между RAM и ROM
| параметры | баран | ПЗУ |
|---|---|---|
| Применение | Оперативная память позволяет компьютеру быстро считывать данные для запуска приложений. | ROM хранит все приложения, которые необходимы для начальной загрузки компьютера. Это позволяет только для чтения. |
| летучесть | ОЗУ энергозависима. Таким образом, его содержимое теряется при выключении устройства. | Он является энергонезависимым, т. Е. Его содержимое сохраняется, даже если устройство выключено |
| доступность | Информация, хранящаяся в оперативной памяти, легко доступна. | Процессор не может напрямую получить доступ к информации, которая хранится в ПЗУ. Чтобы сначала получить доступ к информации ПЗУ, информация передается в ОЗУ, а затем она может быть выполнена процессором. |
| Читай пиши | Обе операции R (чтение) и W (запись) могут выполняться над информацией, которая хранится в ОЗУ. | Память ROM позволяет пользователю читать информацию. Но пользователь не может изменить информацию. |
| Место хранения | RAM используется для хранения временной информации. | ПЗУ используется для хранения постоянной информации, которая не стирается. |
| скорость | Скорость доступа к ОЗУ выше. | Его скорость ниже по сравнению с оперативной памятью. Следовательно, ПЗУ не может увеличить скорость процессора. |
| Стоимость | Цена оперативной памяти довольно высока. | Цена на ПЗУ сравнительно низкая. |
| Размер чипа | Физический размер чипа ОЗУ больше, чем чипа ПЗУ. | Физический размер чипа ПЗУ меньше, чем чип ОЗУ той же емкости. |
| Сохранение данных | Электричество необходимо в оперативной памяти, чтобы течь и сохранять информацию | Электричество не требуется для передачи и сохранения информации |
| Структура | Чип ОЗУ имеет форму прямоугольника и устанавливается над материнской платой компьютера. | Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) — это тип носителя данных, который постоянно хранит данные на персональных компьютерах (ПК) и других электронных устройствах. |
Примеры
Постоянная память в компьютере — это определенное место на материнской плате, в котором хранятся:
В мобильных гаджетах постоянная память хранит в себе стандартные приложения, темы, картинки и мелодии. При желании пространство для дополнительной мультимедийной информации расширяют с помощью перезаписываемых SD-карт. Однако если устройство используется только для звонков, в расширении памяти нет необходимости.
В целом, сейчас ROM есть в любой бытовой технике, автомобильных плеерах и прочих девайсах с электроникой.
Классификация и виды SDRAM в современных компьютерах
Наиболее распространенным подвидом памяти DRAM является синхронная память SDRAM. Первым подтипом памяти SDRAM является DDR SDRAM. Модули оперативной памяти DDR SDRAM появились в конце 1990-х. В то время были популярны компьютеры на базе процессов Pentium. На изображении ниже показана планка формата DDR PC-3200 SODIMM на 512 мегабайт от фирмы GOODRAM.
Приставка SODIMM означает, что память предназначена для ноутбука. В 2003 году на смену DDR SDRAM пришла DDR2 SDRAM. Эта память использовалась в современных компьютерах того времени вплоть до 2010 года, пока ее не вытеснила память следующего поколения. На изображении ниже показана планка формата DDR2 PC2-6400 на 2 гигабайта от фирмы GOODRAM. Каждое поколение памяти демонстрирует все большую скорость обмена данными.
На смену формата DDR2 SDRAM в 2007 году пришел еще более быстрый DDR3 SDRAM. Этот формат по сегодняшний день остается самым популярным, хоть и в спину ему дышит новый формат. Формат DDR3 SDRAM сейчас применяется не только в современных компьютерах, но также в смартфонах, планшетных ПК и бюджетных видеокартах. Также память DDR3 SDRAM используется в игровой приставке Xbox One восьмого поколения от Microsoft. В этой приставке используется 8 гигабайт ОЗУ формата DDR3 SDRAM. На изображении ниже показана память формата DDR3 PC3-10600 на 4 гигабайта от фирмы GOODRAM.
В ближайшее время тип памяти DDR3 SDRAM заменит новый тип DDR4 SDRAM. После чего DDR3 SDRAM ждет судьба прошлых поколений. Массовый выпуск памяти DDR4 SDRAM начался во втором квартале 2014 года, и она уже используется на материнских платах с процессорным разъемом Socket 1151. На изображении ниже показана планка формата DDR4 PC4-17000 на 4 гигабайта от фирмы GOODRAM.
Пропускная способность DDR4 SDRAM может достигать 25 600 Мб/c.
Классификация и виды SDRAM в видеокартах
В новых видеокартах и в старых моделях используется тот же тип синхронной памяти SDRAM. В новых и устаревших моделях видеокарт наиболее часто используется такой тип видеопамяти:
Чтобы узнать тип вашей видеокарты, объем ее ОЗУ и тип памяти, нужно воспользоваться бесплатной утилитой GPU-Z. Например, на изображении ниже изображено окно программы GPU-Z, в котором описаны характеристики видеокарты GeForce GTX 980 Ti.
На смену популярной сегодня GDDR5 SDRAM в ближайшем будущем придет GDDR5X SDRAM. Это новая классификация видеопамяти обещает поднять пропускную способность до 512 ГБ/с. Ответом на вопрос, чего хотят добиться производители от такой большой пропускной способности, достаточно прост. С приходом таких форматов, как 4K и 8K, а также VR устройств производительности нынешних видеокарт уже не хватает.
Архитектура
Постоянные запоминающие устройства выполнены в виде двухмерного массива. Элементами массива являются наборы проводников, часть которых не затрагивается, прочие ячейки разрушаются. Проводящие элементы являются простейшими переключателями и формируют матрицу за счет поочередного соединения их к рядам и строкам.
Если проводник замкнут, он содержит логический ноль, разомкнут – логическую единицу. Таким образом в двухмерный массив физических элементов вносят данные в двоичном коде, которые считывает микропроцессор.
Схемы ПЗУ
Промышленность выпускает большое количество микросхем ПЗУ. Приведем в качестве примера две микросхемы ПЗУ (рис. 3.78).
На схемах использованы следующие обозначения: Ai — адресные входы; Di — информационные выходы; CS — выбор микросхемы; СЕ — разрешение выхода.
Орлов Анатолий Владимирович Начальник службы РЗиА Новгородских электрических сетей Задать вопрос Микросхема К573РФ5 — это репрограммируемое ПЗУ (РПЗУ) с ультрафиолетовым стиранием, имеющее структуру 2Кх8. По входу и выходу эта микросхема совместима с ТТЛ-структурами. Микросхема К556РТ5 — это однократно программируемая ПЗУ, выполнена на основе ТТЛШ-структур, по входу и выходу совместима с ТТЛ-структурами, имеющая структуру 512бит х8.